Расписание Консультации преподавателей
299053, Россия, Крым, г. Севастополь, ул. Университетская, 33.
+7 (8692) 435-127
   ИРИБ СевГУ

Торхов Николай Анатольевич

Торхов Николай Анатольевич
кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, доцент,
кафедры электронной техники Севастопольского Государственного университета
  1. ФИО, год рождения

Торхов Николай Анатольевич, 18.12.1969
  1. Стаж преподавательской деятельности. В каких вузах по годам.

11 лет, 2012-2019 ТУСУР г. Томск, 2020-2022 СевГУ,

  1. Ученая степень, звание. Год присвоения.

Кандидат физико-математических наук, 2007 г.

  1. Образование. ВУЗ, год окончания, специальность. ДПО: повышение квалификации и переподготовка, название программ, организация, год.

Высшее, ТГУ г. Томск, 1994, «Физика твердого тела», диплом УВ №411800 от 28.06.1994 г.

Аспирантура, ТГУ г. Томск, 1997,

Защита кандидатской диссертации, по специальности 01.04.10. диплом к.ф.-м.н. ДКН №036231 от 14.09.2007 г.

Программа повышения квалификации «Педагогика и психология высшего образования с учетом лиц с ОВЗ и инвалидов», ФГБОУ «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», регистрационный номер 1648, г. Томск, удостоверение №702408380152 от 12.12.2018 г.,

Программа повышения квалификации «Корпоративные сервисы и ресурсы электронной информационно-образовательной среды вуза», ФГБОУ «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», регистрационный номер 1765, г. Томск, удостоверение №702408380349 от 12.12.2018 г.,
  1. Описание текущей преподавательской деятельности: 

«Физические основы нано и микро электроники» курс лекций/лабораторный практикум/практические занятия

 
  1. Область научных интересов: 

Физика полупроводников, твердотельные приборы и устройства, технологии изготовления GaAs, GaN, InP полупроводниковых приборов и интегральных монолитных схем, аналитические и контрольно-измерительные методы исследования материалов, поверхностей и интерфейсов, исследования, разработка и моделирование технологических процессов, дизайн гетероэпитаксиальных структур, полупроводниковых приборов и интегральных схем.

 

Публикации:

1
Structure Modification and Enhancement of Wear Resistance
of Ultra-High-Molecular-Weight Polyethylene by Low-Pressure Helium Plasma Treatment.
V.N. Vasilets, Yu.O. Velyaev, N.A. Torkhov, A.A. Mosunov,
L.V. Potopakhin, and M. P. Evstigneev. High Energy Chemistry, 2023, Vol. 57, No. 1, pp. 80–87; DOI: 10.1134/S0018143923010137.
2

AFM methods for studying the morphology and micromechanical properties of the membrane of human buccal epithelium cell.

Nikolay A. Torkhov, Victoria A. Buchelnikova, Ivan V. Ivonin, Andrey Mosunov. 2023. DOI: 10.21203/rs.3.rs-2131384/v1
3
Conductivity and electrophysical characteristics of Janus-like TaSi2/Si nanoparticles.
Nikolay Anatolievich Torkhov et al 2022 Semicond. Sci. Technol. 2022. https://doi.org/10.1088/1361-6641/aca7dc
4
Интегральный монолитный СВЧ диод Шоттки с вискером и анодным воздушным выводом для использования в планарных технологиях «Меза-Меза.

Н.А. Торхов. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2022630154 от 26.09.2022 г., заявка № 2022630147 от 20.09.2022 г.
5
Physical mechanisms of γ-ray surface treatment influence on the characteristics of close AuNi/n-n + GaN Schottky contacts.

N.A. Torkhov, A.V. Gradoboev, V.A. Budnyaev, I. V. Ivonin, V.A. Novikov.

Semiconductor Science and Technology. 2022.  37(10). DOI:10.1088/1361-6641/ac7d71

6

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures.

N.A. Torkhov, A.V. Gradoboev, K.N. Orlova and A.S. Toropov.

Semiconductor Science and Technology. 2022. V.37, N.5, p. 055023.

https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ac557e. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e
Индекс цитирования {* *}