299053, Россия, Крым, г. Севастополь, ул. Университетская, 33.
+7 (8692) 435-127

Мурзин Дмитрий Геннадьевич


Мурзин Дмитрий Геннадьевич
к.т.н., доцент,
кафедры электронной техники Севастопольского Государственного университета
  1. ФИО, год рождения

Мурзин Дмитрий Геннадьевич, 1975

  1. Стаж преподавательской деятельности. В каких вузах по годам.

18 лет 1998-2014 СевНТУ,1914-2016 СевГУ

  1. Ученая степень, звание. Год присвоения.

Кандидат технических наук, 2009

  1. Образование. ВУЗ, год окончания, специальность. ДПО: повышение квалификации и переподготовка, название программ, организация, год.

Высшее, СевГТУ, 1998, микроэлектроника и полупроводниковые приборы,

Высшее, СевГТУ, 1999, экономика предприятия, заочная аспирантура СевНТУ 2002-2005, защита диссертации НТУУ «КПИ» 2008

  1. Описание текущей преподавательской деятельности: 

«основы теории цепей» курс лекций / практикум

«информационные технологии и программирование» практикум

«основы алгоритмизации и программирования» курс лекций / практикум

 

  1. Область научных интересов: 
Структуры мощных полупроводниковых приборов, современные информационные технологии и программирование

Последние публикации:

Структуры современных мощных полупроводниковых приборов для преобразовательной техники, тезисы, Материалы 6-ой международной научно-технической конференции «Актуальные вопросы теоретической и прикладной биофизики, физики и химии БФФХ-2010», г. Севастополь, 26-30 апреля 2010 г., том 1. – с. 136 - 139 0,1 Иванов О.Н., Мурзин Д.Г.

 

Модель распределения плотности тока эмиттера при запирании транзистора, тезисы, Материалы 1-ой международной научно-технической конференции «Современные проблемы физики, химии и биологии «ФизХимБио-2012»», г. Севастополь, 28-30 ноября 2012 г. — Севастополь, 2012. — С. 168-170. 0.1 Милютиков Е.А., Новиков В.А. , Мурзин Д.Г.

 

Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем, статья,Научно-технический журнал Национального технического университета Украины «КПИ»: сб. научн. тр. Вып. 5/ 2012. Серия: электроника и связь. — Киев. — С. 5 — 9. Борисов А.В., Гусев В.А., Мурзин Д.Г.

 

Методы реализации структуры фотоэлемента с зарядовыми насосами, статья, Научно-технический журнал «Радиоэлектроника и информатика» №3(62) июль-сентябрь 2013 г., Харьковский национальный университет, г. Харьков,. – с. 16-23 0.8 Гусев В.А.,Старков В.В.,Шоферистов С.Е. , Мурзин Д.Г.

 

Анализ процессов локализации тока в биполярных полупроводниковых приборах, статья, Проблемы и достижения в науке и технике/ Сборник научных трудов по итогам международной научно-практической конференции. № 3. Омск, 2016. – с. 50-53 Владыка Е.Ю., Капранов И.Ю, Мурзин Д.Г.

 

Индекс цитирования {* *}