299053, Россия, Крым, г. Севастополь, ул. Университетская, 33.
+7 (8692) 435-127
   ИРИБ СевГУ

Марончук Игорь Игоревич


Марончук Игорь Игоревич
к.т.н., доцент,
кафедры электронной техники Севастопольского Государственного университета

Образование, повышение квалификации:

08.2014: Прошел курс обучения по теме «Проектирование основных профессиональных образовательных программ высшего образования» в Федеральном государственном автономном учреждении «Федеральный институт развития образования». Удостоверение о повышении квалификации 032744, Регистрационный номер 03/20/126/136.

11.2013: Прошел курс обучения по теме «Физическая защита, как элемент национальной безопасности» на базе Обучающего центра по физической защите, учета и контроля ядерного материала им. Джорджа Кузмича Института ядерных исследований НАН Украины сертификат №1671.

09.2011: Кандидат технических наук (спец. 05.17.01 Технология неорганических веществ), решение диссертационного совета Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт» от 14.09.2011г., г.Киев, Украина, протокол №12/19, диплом ДК №003555 от 19.01.2012г.

12.2005: Кандидат технических наук (спец. 05.17.01 Технология неорганических веществ), решение диссертационного совета ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ», г.Москва, РФ, от 21.12.2005г. №6, диплом КТ №177919 от 14.04.2006 г.

Тема диссертации: «Разработка физико-химических основ и наземная отработка метода выращивания кристаллов полупроводников бесконтактной направленной кристаллизацией из расплава в условиях микрогравитации».

02.2005: Высшее образование: Днепропетровский университет экономики и права, диплом ДСК№046074 от 28.02.2005г.

Специальность: Финансы.

Квалификация: Специалист по финансам.

Тема дипломной работы: «Налогообложение прибыли предприятий и его роль в регулировании финансово-хозяйственной деятельности ООО «Эверест».

03.1996: Высшее образование: Московская государственная академия тонкой химической технологии (МИТХТ), диплом  ЭВ№788447 от 16.02.1996г.

Специальность: Материалы и компоненты твердотельной электроники.

Квалификация: Инженер электронной техники.

Тема дипломной работы: «Отработка технологического процесса сборки термоэлектрических микромодулей».

Профессиональная деятельность:

01.2015-по наст.вр.: заведующий научно-исследовательской лабораторией Прикладной физики и нанотехнологий в энергетике, Севастопольского государственного университета (оформлен на ту же должность в той же лаборатории что и ранее в связи с прекращением деятельности Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности и организацией Севастопольского государственного университета). Руководитель НИР № ГР 11504010036 «Получение наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками для высокоэффективных приборов полупроводниковой энергетики» выполняемого в ФГАУ ВО Севастопольский государственный университет в рамках базовой части государственного задания Министерства образования и науки РФ на выполнение государственных работ в сфере научной деятельности №2015/702.

09.2010-12.2014: заведующий научно-исследовательской лабораторией Прикладной физики и нанотехнологий в энергетике, Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности. http://www.sinp.com.ua

Научно-исследовательская деятельность в направлении, связанном с получением и характеризацией приборных наногетероэпитаксиальных структур полупроводниковых соединений III-V. Разработка технологий изготовления наногетероструктур, перспективных для производства высокоэффективных солнечных элементов, полупроводниковых лазеров, светодиодов и других приборов энергетики и электроники с улучшенными характеристиками. Руководство НИР по гос. темам с международным сотрудничеством № гос. рег. 0112U004939, 0113U001785, 0113U004266.

09.2012: один из организаторов, ученый секретарь I Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы прикладной физики» АРАР-2012. 24-28 сентября 2012г., г.Севастополь, Украина.

Руководил всем спектром организации, подготовки и проведения конференции на базе Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности.

09.2011: один из организаторов, ученый секретарь IV Всеукраинской научно-практической конференции «Актуальные проблемы прикладной физики» АППФ-2011. 18-22 октября 2011г., г.Севастополь, Украина.

Руководил всем спектром организации, подготовки и проведения конференции на базе Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности.

04.2011-09.2013: заместитель ректора - директор научно-исследовательского центра (НИЦ) университета, зам. директора НИЦ университета по научной работе, Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности. http://www.sinp.com.ua

Руководство научно-исследовательской и хозяйственной деятельностью НИЦ Нанофизики, наноматериаловедения и радиационных технологий в энергетике, включающем в себя четыре научно-исследовательских лаборатории.

04.2011-09.2013: заведующий кафедрой Прикладной физики и нанофизики (ПФиНФ) Севастопольского национального университета ядерной энергии и промышленности. http://www.sinp.com.ua

Организация выпускающей кафедры ПФиНФ на базе кафедры Общей физики, лицензирование нового направления подготовки бакалавриата 6.040204 «Прикладная физика», разработка и составление лицензионной документации. Набор двух потоков студентов по новому направлению. Подготовка УМК и ведение 4 новых дисциплин: «Введение в специальность», «Технология материалов электронной техники», «Нанопорошки и нанокомпозитные материалы», «Метрология полупроводниковых материалов».

07.2008-08.2010: старший научный сотрудник лаборатории 2.7 ОАО «ГИРЕДМЕТ», г.Москва. http://www.giredmet.ru/

Разработка методик и оборудования для создания и характеризации новых, полупроводниковых наноструктурных материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы для высокоэффективных термоэлектрических холодильников и генераторов нового поколения. Принимал активное участие в НИР по гос. темам с национальным и международным сотрудничеством № гос. рег.0120.0 808717 и 0120.0 956584

10.2005-05.2008: главный технолог производственного участка, главный технолог участка термоэлектрических материалов, ООО «АДВ-Инжиниринг». http://www.adv-engineering.ru

Выращивание кристаллов термоэлектрических материалов холодильного и генераторного типов на основе халькогенидов висмута и сурьмы методами зонной плавки и экструзии. Очистка исходных материалов для данных процессов. Исследования электрофизических, термоэлектрических свойств полученного материала методом Хармана. Изготовление на базе полученного материала термоэлектрических холодильных и генераторных модулей.

Производство высокочистых металлов для полупроводниковой промышленности групп АII и ВVI методами дистилляции, фильтрации, зонной перекристаллизации, вакуумной переплавки и гидрометаллургическими методами, грануляция полученных материалов.

Производство полупроводниковых порошковых соединений группы АIIВVI заданного гранулометрического состава. Разработка и лицензирование технической документации.

10.2004-01.2006: инженер, Общество с ограниченной ответственностью «Гирмет», г.Москва. http://www.girmet.com/.

Исследования в области получения толстых эпитаксиальных слоев нитрида галлия на подложках сапфира и арсенида галлия методом хлорид - гидридной эпитаксии. Металлографические исследования полученных структур.

Допущен к работе в электроустановках напряжением до 1000В в качестве административно технического персонала, 4 группа по электробезопасности.

07.1996-01.2006: инженер 1-й категории, ведущий инженер, лаборатория №42, полупроводниковый отдел, ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ», г.Москва. http://www.giredmet.ru/

Синтез материала и выращивание монокристаллов арсенида галлия методами горизонтальной и вертикальной направленной кристаллизации (методом Бриджменна). Подготовка материалов к экспериментам, обслуживание оборудования, проведение исследований по усовершенствованию процессов. Исследования в области получения толстых эпитаксиальных слоев нитрида галлия на подложках сапфира и арсенида галлия методом хлорид - гидридной эпитаксии. Металлографические исследования полученных структур. Допущен к работе в электроустановках напряжением до 1000 В в качестве административно технического персонала, 4 группа по электробезопасности. Работа с вакуумным оборудованием. Кварцедувные работы.

07.2003-02.2005: студент заочного отделения Днепропетровского университета экономики и права.

03.1998-09.2004: старший научный сотрудник, научный сотрудник, ведущий инженер, отдел специальных материалов, Институт химических проблем микроэлектроники, г.Москва. Ответственный за электрохозяйство отдела, ответственный за электрохозяйство института, допущен к работе в электроустановках напряжением до 1000 В в качестве административно технического персонала, 4 группа по электробезопасности. Ответственный по отделу за баллоны, сосуды и оборудование работающее под давлением. Работа с вакуумным оборудованием. Кварцедувные работы. Участие в национальных программах по космическому материаловедению. Постановка и подготовка материаловедческих космических экспериментов по росту монокристаллов полупроводниковых материалов методом направленной кристаллизации на земле и на борту пилотируемых и беспилотных космических аппаратов. Усовершенствования методик и получение высокочистого кобальта гидрометаллургическими и металлургическими методами, для нужд электронной промышленности.

07.1996-09.2004: ведущий инженер, лаборатория №22, полупроводниковый отдел, ФГУП Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ», г.Москва.

Выращивание кристаллов термоэлектрических материалов холодильного и генераторного типов на основе халькогенидов висмута и сурьмы методами вертикальной направленной кристаллизации, зонной плавки и экструзии. Очистка исходных материалов для данных процессов. Исследования электрофизических, термоэлектрических свойств полученного материала методом Хармана.

05.1998-04.2000: соискатель научной степени кандидата наук при отделе аспирантуры Московского института стали и сплавов, г.Москва.

09.1990-03.1996: студент Московской государственной академии тонкой химической технологии (МИТХТ). г.Москва. http://www.mitht.ru/

12.1989-08.1990: студент дневного подготовительного факультета Московской государственной академии тонкой химической технологии (МИТХТ), г.Москва.

 

Являюсь автором и соавтором более 130 опубликованных и приравненных к ним научных и учебно-методических работ, из них 1 научная монография, 10 патентов на изобретения, 15 публикаций учебно-методического характера, 50 - статьи в реферируемых журналах, 8 трудов рукописного характера, остальные – труды и тезисы конференций.

В том числе:

  1. Марончук И.И. О возможности сохранения наноструктурного состояния при получении объемного термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы / В.Т.Бублик, Л.П.Булат, В.В.Каратаев, И.И. Марончук и др. // Известия ВУЗов. Физика. – Томск, ТПУ, 2010. – Т.50 № 3/2. –  С.37-41. ISSN 0021-3411
  2. Пат. РФ № 2412285 Кл. С 25 D 5/02 Способ локального нанесения металлических  покрытий на образцы термоэлектрических материалов электролитическим методом / И.А. Драбкин, В.Т. Каменский, В.В. Каратаев, Н.В. Луткова, Н.В. Малькова, И.И. Марончук, В.Б. Освенский. – Опубликован 20.02.2011, Бюллетень № 5.
  3. Пат. UA № 94699 Кл. С 30В 19/00, С 30В 29/00, Н 01L 21/20 Способ выращивания эпитаксиальных наногетероструктур с массивами квантовых точек / І.Є. Марончук, І.І. Марончук, Т.Ф. Кулюткіна .– Опуб. 0.06.2011, Бюл. № 11.
  4. Марончук И.И. Наногетероэпитаксиальные структуры с квантовыми точками, полученные методом жидкофазной эпитаксии на основе GaP. / С.Б. Смирнов, И.Е. Марончук, А.Н. Петраш, Д.Д. Саникович, С.В. Бондарец, С.Ю.Быковский // Электроника и связь. НТУУ (КПИ). – Киев 2011. – №4 (63). – С. 15 – 20. ISSN 1811-4512.
  5. Марончук И.И. Nano-S: пакет для расчета энергетических спектров электронов в наногетероструктурах с квантовыми точками / И.Е. Марончук, И.И. Марончук, А.Н. Петраш // Вестник национального технического университета «ХПИ», Тематический выпуск: Информатика и моделирование. – Харьков 2011. – №17. – С. 93 – 100. ISSN 2079-0031.
  6. Марончук И.И. Получение нанопорошков титана из титановой губки и отходов титановой промышленности с применением метода бактериального выщелачивания / Г.А. Баранов, В.И.Крюковская, И.И. Марончук// Вестник НТУ «КПИ». Серия машиностроение. – Киев, 2013. – №3 (69). – С. 131-135. ISSN 0372-6053.
  7. Марончук И.И. Получение наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками для высокоэффективных солнечных элементов исследование их свойств / И.И. Марончук // Вестник Восточно-украинского национального университетаим. В. Даля. – Луганск, 2013. – № 4 (193) – С. 149 - 155. ISSN 1998-7927.
  8. Maronchuk I.I. Deposition by liquid epitaxy and study of the properties of nano-heteroepitaxial structures with quantum dots for high efficient solar cells / I.I. Maronchuk I.E. Maronchuk, D. D.Sankovitch, K. Lovchinov, D. Dimova-Malinovska // Journal of Physics: Conference Series. – 2014. – № 558. – 012049. ISSN 1742-6588, 1742-6596.
  9. Марончук И.И. Фазовый переход металл-полупроводник в технологии наногетероэпитаксиальных структур / И.E.Марончук, И.И. Марончук, Т.Ф.Кулюткина // Известия Томского политехнического университета. Математика и механика. Физика. – 2014. – Т. 325. – № 2. – С. 114 – 119. ISSN 1684-8519
  10. Maronchuk I.I. An obtaining of nanoheteroepitaxial structures with quantum dots for high effective photovoltaic devices, investigation of their properties / S. Bykovsky, S. Bondarec, I. Maronchuk A. Velchenko // TEKA. Polish academy of sciences. UEER. – 2014. – Vol. 14. – No. 1. – P. 154 - 163. ISSN 1641-7739.

 

Индекс цитирования {* *}